一种制备HfC-SiC复相陶瓷的方法

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技术领域	耐高温陶瓷制备
成果用途	用于制备HfC-SiC复相陶瓷。
要解决的技术问题	材料内部晶粒粗大，会导致材料的抗弯强度较低，使得材料性能不能满足服役要求，所以，晶粒细化是HfC陶瓷发展中亟待解决的瓶颈问题之一。
达到的有益效果	避免了单独添加SiC粒子时易带入SiO₂杂质的缺陷问题，所制备的HfC-SiC复相陶瓷的致密度高达100%、平均晶粒尺寸均小于1μm；在惰性气氛下可耐2300℃高温，且相组成稳定；在1500℃的四点弯曲强度可达到350MPa以上；另外，还具有原料价廉易得、制备工艺简单、可操控性强、容易实现规模化等优点。
关键技术方案	1、制备HfC-SiC复相陶瓷的方法： (1)按摩尔比为(3～22.5):1:3称取HfC、Si₃N4和炭黑各粉体，湿法球磨使混合均匀，得到HfC-Si₃N4-C混合粉体；所述HfC粉体的粒径为0.1～1.5μm，所述Si₃N₄粉体的粒径为0.1～1.5μm，所述炭黑粉体的粒径为0.04～0.5μm； (2)将步骤(1)得到的混合粉体制备成HfC-Si₃N₄-C生坯； (3)将步骤(2)得到的HfC-Si₃N₄-C生坯先在惰性气氛或真空条件下于800～1400℃保温1～2小时，得到HfC-SiC坯体，再在惰性气氛中于1900～2300℃下继续烧结0.5～1小时，即得HfC-SiC复相陶瓷。
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