一种制备超长一维单晶硅纳米/微米结构的方法
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技术领域
微纳米材料技术 成果用途
用于制备超长一维单晶硅纳米/微米结构。 要解决的技术问题
对于直径在微米尺度的硅线,还没有具有宏观长度(大于毫米)的报道。 达到的有益效果
1、制备的超长一维单晶硅纳米/微米结构具体可为长度达到百微米以上、达到毫米以上或者达到厘米以上的硅纳米线或硅微米线;
2、可通过控制生长条件,可控的制备具有特定长度的超长一维单晶硅纳米结构或一维单晶硅微米结构,并且在每个条件下制备得到的大量超长一维单晶硅纳米/微米结构都具有一致的长度,不存在产物筛选的问题。关键技术方案
制备超长一维单晶硅纳米/微米结构的方法 :
1、将前驱体放入第一容器中,并将第一容器放入反应器的高温区;取催化剂放入第二容器中,并将第二容器放入反应器的低温区,使反应器为真空状态;
2、加热反应器,自然冷却至室温,然后向所述反应器的腔内充入空气,打开反应器,在所述第二容器中得到超长一维单晶硅纳米/微米结构;
3、前驱体与催化剂的总质量比为1:40、1:280、1:400、1:467或1:700。交易流程
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专利号:CN2014100251207 状态:专利权维持 日期:2020.2.20
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