铜铟镓硒薄膜电池的制备方法

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技术领域	半导器件
成果用途	用于制备铜铟镓硒薄膜光伏电池。
要解决的技术问题	采用机械划线法切割背电极时，由于薄膜较脆，导致切割线的宽度不均匀，并且划线过程中会产生大量残渣、碎片，从而容易导致子电池短路。
达到的有益效果	通过从玻璃衬底远离金属背电极层的一侧发射穿透玻璃衬底的第一激光束来蚀刻形成第一刻槽，可以提高蚀刻质量及清洁蚀刻残渣，使分割成的子电池的背电极绝缘效果较好，不易短路。
关键技术方案	铜铟镓硒薄膜电池的制备方法，包括如下步骤： 1、在玻璃衬底的一侧形成金属背电极层； 2、从该玻璃衬底远离该金属背电极层的一侧发射穿透该玻璃衬底的第一激光束，以形成穿透该金属背电极层的第一刻槽； 4、在该金属背电极层上及该第一刻槽表面形成铜铟镓硒光吸收层； 5、在该铜铟镓硒光吸收层上形成缓冲层； 6、在该缓冲层上形成阻挡层； 7、发射第二激光束，以在该阻挡层上蚀刻形成深入至该金属背电极层的第二刻槽； 8、在该阻挡层和该第二刻槽表面形成窗口层； 9、发射第三激光束，以在该窗口层上蚀刻形成深入至该金属背电极层的第三刻槽。
交易流程	01 STEP 挑选中意的专利：挑选您中意的专利，并在网站下订单，支付专利价款到网站账号 02 STEP 办理转让材料：IPwork 协助买卖双方准备转让相应材料 03 STEP 签订转让协议：IPwork 协助卖家签订专利转让协议 04 STEP 提交专利局：将双方签字的相关材料递送国家专利局 05 STEP 交付使用：转让完成，买家可投入使用，网站放款给卖家
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