一种优化PCM内存写的方法和装置
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技术领域
计算机存储技术 成果用途
优化PCM内存写。 要解决的技术问题
将相变存储器PCM用作内存时,同样面临着延迟、耐久性和能耗等方面的挑战,而现有技术并不能够有效减少对PCM的写。 达到的有益效果
本发明优化PCM内存写的方法和装置,减少了对PCM的写次数,降低了功耗,延长了使用寿命,提高PCM写的并行度,从而提高PCM系统性能。 关键技术方案
1、优化PCM内存写的方法包括:最后一级缓存LLC接收写指令,其中LLC采用分段结构,每一个段又进一步分为更小的子段,每个子段有改变位;判断LLC是否写命中;当LLC写命中,数据写入LLC,同时将要写的数据与LLC的原有数据进行比较,若不等,则对应所述子段的改变位设置第一状态;当LLC写不命中,将改变位为第一状态的子段替换出去,替换出的LLC子段写入牺牲缓存,以便将数据写入相变存储器PCM,其中牺牲缓存设置在LLC与PCM之间。
2、优化PCM内存写的装置,包括:LLC,还包括分路器。交易流程
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专利号:CN2013107270736 状态:专利权维持 日期:2020.1.27
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